Bor-Sputtering-Target

Beschreibung des Bor-Sputtertargets

Der Sputterprozess dient hauptsächlich dazu, einen dünnen Film aus ultrahochreinem gesputtertem Metall- oder Oxidmaterial auf einem anderen festen Substrat abzuscheiden und die Entfernung und Umwandlung des Zielmaterials in eine gerichtete Gas-/Plasmaphase durch Ionenbeschuss zu steuern. Bor ist ein Element mit geringer Häufigkeit im Sonnensystem und in der Erdkruste. Es ist ein schwacher Leiter bei Raumtemperatur und ein guter Leiter bei hohen Temperaturen. Das Bor-Sputtering-Target hat hervorragende physikalische und chemische Eigenschaften, einen hohen Schmelzpunkt, eine kleinste durchschnittliche Korngröße, eine Korrosionsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, eine gute Haltbarkeit, eine gute elektrische Leitfähigkeit und ein hohes Preis-Leistungs-Verhältnis. Es ist ein Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) für hervorragende Vorbereitungsmaterialien. Bor-Sputtering-Targets sind weit verbreitet, hauptsächlich in der Nuklearindustrie, der Glasbeschichtungsindustrie, der elektronischen Informationsindustrie, der chemischen Industrie, der Biomedizin, der Luft- und Raumfahrtindustrie, hochwertigen Dekorationsprodukten und der Metallschmelzindustrie usw.

Spezifikationen des Bor-Sputtertargets:

Bor-Sputtering-Target-Bilder:

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