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Aluminiumzinkoxid-Sputtertargets
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Aluminiumzinkoxid-Sputtertargets

Aluminiumzinkoxid-Sputtertargets

Mit der Entwicklung transparenter leitfähiger Filme wurden AZO-(Al2O3-ZnO)-Targets, die ITO ersetzen können, weit verbreitet. Der transparente leitfähige AZO-Film hat eine Bandlücke von 3,4 eV und eine intrinsische Absorptionsgrenze von 360 nm, die als Fensterschichtmaterial für Dünnschichtbatterien verwendet werden kann.
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Product Details ofAluminiumzinkoxid-Sputtertargets

Aluminiumzinkoxid-Sputtertargets

Aluminiumzinkoxid-Sputtertargets Mit der Entwicklung transparenter leitfähiger Filme wurden AZO-Targets (Al2O3-ZnO) weit verbreitet, die ITO ersetzen können. Der transparente leitfähige AZO-Film hat eine Bandlücke von 3,4 eV und eine intrinsische Absorptionsgrenze von 360 nm, die als Fensterschichtmaterial für Dünnfilmbatterien verwendet werden kann. Seine breite Bandlücke kann die Lichtabsorption durch p-, n--dotierte Bereiche verringern und die Ausnutzungsrate der Lichtenergie verbessern. Gleichzeitig hat der transparente leitfähige AZO-Film einen niedrigen spezifischen Widerstand und eine hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht, was ihn zu einem guten Material für die transparente Frontschicht macht. Gleichzeitig hat AZO auch die Eigenschaften einer hohen Plasmastabilität, einer einfachen Herstellungstechnologie und un-toxischer und harmloser Rohstoffe, wodurch AZO auf dem Gebiet der Dünnschicht-Solarzellen eine breitere Anwendung findet.

Aluminiumzinkoxid-Sputtertargets Bild:

Unser Unternehmen kann Kunden hoch-hochreine, hoch-dichte und einheitlich organisierte AZO-Targets sowie den Bindungsservice von AZO-Targets und Backplanes anbieten.

Typ

Produktname

Formel

Reinheit

Schmelzpunkt

Dichte (g/cc)

Verfügbare Formen

Oxide

Aluminium Oxid

Al2O3

4N

2045

4

Ziel, Teilchen

Wismut(III)-oxid

Bi2O3

4N

820

8.9

Ziel, Teilchen

Chrom(III)-oxid

Cr2O3

4N

2435

5.2

Ziel, Teilchen

Erbiumoxid

Er2O3

4N

2378

8.64

Ziel, Teilchen

Hafniumoxid

HfO2

4N

2812

9.7

Ziel, Teilchen

Indiumzinnoxid

ITO

4N

1565

7.6

Ziel

Magnesiumoxid

MgO

4N

2800

3.58

Ziel, Teilchen

Niobpentoxid

Nb2O5

4N

1530

4.47

Ziel, Teilchen

Neodym(III)-oxid

Nd2O3

4N

2272

7.2

Ziel, Teilchen

Nickeloxid

NiO

4N

1990

7.45

Ziel, Teilchen

Scandiumoxid

Sc2O3

4N

2480

3.86

Ziel, Teilchen

Siliziumoxid

SiO

4N

1702

2.13

Ziel, Teilchen

Siliciumdioxid

SiO2

4N

1610

2.2

Ziel, Partikel, Kristall

Samarium(III)-Oxid

Sm2O3

4N

2350

7.4

Ziel, Teilchen

Tantalpentoxid

Ta2O5

4N

1800

8.7

Ziel, Teilchen

Titandioxid

TiO2

4N

1800

4.29

Ziel, Teilchen

Titan (V) Oxid

Ti3O5

4N

1750

4.57

Ziel, Teilchen

Vanadium(V)-Oxid

V2O5

4N

690

3.36

Ziel, Teilchen

Yttrium(III)-oxid

Y2O3

4N

2680

4.8

Ziel, Teilchen

Zinkoxid

ZnO

4N

1975

5.6

Ziel, Teilchen

Aluminium-dotiertes Zinkoxid

AZO

4N

\

5.4

Ziel

Zirkoniumdioxid

ZrO2

4N

2700

5.5

Ziel, Teilchen

Fluorid

Bariumfluorid

BaF2

4N

1280

4.8

Ziel, Teilchen

Calciumfluorid

CaF2

4N

1360

3.13

Ziel, Teilchen

Cerfluorid

CeF3

4N

1418

6.16

Ziel, Teilchen

Kaliumfluorid

KF

4N

880

2.48

Ziel, Teilchen

Lanthan(III)-Fluorid

LaF3

4N

1490

6

Ziel, Teilchen

Magnesiumfluorid

MgF2

4N

1266

4.2

Ziel, Teilchen

Natriumfluorid

NaF

4N

988

2.79

Ziel, Teilchen

Andere

Bariumtitanat

BaTiO3

4N

1620

3.96

Ziel, Teilchen

Strontiumtitanat

SrTiO3

4N

2080

5.12

Ziel, Teilchen

Zinksulfid

ZnS

4N

1830

4.1

Ziel, Teilchen

Siliziumnitrid

Si3N4

4N

Sublimation

3.44

Ziel, Teilchen

Titannitrid

Zinn

4N

2950

5.43

Ziel, Teilchen

Aluminiumnitrid

AlN

4N

Sublimation

3.26

Ziel, Teilchen

Bornitrid

BN

4N

3000

2.25

Ziel, Teilchen

Siliziumkarbid

SiC

4N

2700

3.22

Ziel


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